TXS4555 是一款完整的智能身份模块 (SIM) 卡解决方案,可用来连接无线基带处理器与 SIM 卡,从而可为移动手持终端应用存储 I/O 数据。 该器件不但符合 ISO / IEC 智能卡接口要求,而且还支持 GSM 与 3G 移动标准。 它包含能够支持 Class B (2.95 V) 与 Class C (1.8 V) 接口的高速电平转换器、低压降 (LDO) 稳压器,可在 2.95 V Class B 与 1.8 V Class C 接口之间选择输出电压。
注: 裸露的中心散热焊盘必须连接至接地。
该器件具有两组电源电压引脚。 VCC 支持 1.65 V 至 3.3 V 的整个电压范围,而 VBATT则支持 2.3 至 5.5 V。VPWR 可设置为 1.8 V 或 2.95 V,并由内部 LDO 提供。 集成型 LDO 可接受高达 5.5 V 的输入电压,并可在 50 mA 电流下向 B 端电路系统及外部 SIM 卡输出 1.8 V 或 2.95 V 的电压。 TXS4555 可帮助系统设计人员轻松将低电压微处理器连接至工作电压为 1.8 V 或 2.95 V 的 SIM 卡。
此外,TXS4555 还根据 SIM 卡的 ISO 7816-3 规范为 SIM 卡引脚整合了关断定序功能。 SIM 卡信号的适当关断可在电话意外关机时保护数据免受损坏。 该器件不但可为 SIM 引脚提供 8 kV HBM 保护,而且还可为所有其它引脚提供标准 2kV HBM 保护。
TXS4555 | |
Vcc range(V) | 1.65 - 3.3 |
No. of Outputs | 3 |
Bus Drive(ma) | 50 |
tpd max(ns) | 18 |
Operating Temperature Range(°C) | -40 to 85 |
Pin/Package | 12UQFN, 16QFN |
器件 | 状态 | 温度 | 价格(美元) | 封装 | 引脚 | 封装数量 | 封装载体 | 丝印标记 |
TXS4555RGTR | ACTIVE | -40 to 85 | 0.60 | 1ku | QFN (RSA) | 16 | 3000 | LARGE T&R | |
TXS4555RUTR | ACTIVE | -40 to 85 | 0.60 | 1ku | UQFN (RUT) | 12 | 3000 | LARGE T&R |
器件 | 环保计划* | 铅/焊球涂层 | MSL 等级/回流焊峰 | 环保信息与无铅 (Pb-free) | DPPM / MTBF / FIT 率 |
TXS4555RGTR | Green (RoHS & no Sb/Br) | CU NIPDAU | Level-2-260C-1 YEAR | TXS4555RGTR | TXS4555RGTR |
TXS4555RUTR | Green (RoHS & no Sb/Br) | CU NIPDAU | Level-1-260C-UNLIM | TXS4555RUTR | TXS4555RUTR |