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内嵌FRAM的高速8051 MCU

2006年5月22日——领先的非易失性铁电随机存储器(FRAM)和集成半导体产品领先的开发商和供应商瑞创(RAMTRON)国际宣布推出VRS51L3074,市场上第一个基于8051带非易失性FRAM存储器的微控制器。瑞创将FRAM加入到其快速而灵活的Versa 8051系列以支持快速而可靠的非易失性数据存储和处理系统,此特性仅增强型FRAM MCU可以提供。

FRAM代替FLASH/EEPROM支持非易失性数据存储

FRAM通过消除伴随FLASH数据存储的代码管理和限制寿命以及FLASH/EEPROM专门的写周期简化了设计周期。跟FLASH、FRAM字节不同,它可以修改而无需首先清除整个扇区,使之易于使用。并且,跟FLASH/EEPROM不同,FRAM提供本质上无限的读/写周期和快速数据写速度。

应用领域

VRS51L3074针对从传感器和计量到工业控制、仪器和医疗设备的广泛的应用范围,提供理想的嵌入式数据获得方案。

RAMTRON MCU选型指南
VRS51L3074 VRS51L2070
内核(8051) 晶振 40MHz 40MHz
指令周期 单指令周期 单指令周期
内部晶振 Y Y
DSP功能 Y Y
FLASH空间 64K 8K/16K/32K/64K
FRAM空间 8K /
RAM空间 4K+256B 4K+256B
数据指针
外设 I/O口 56 56
JTAG口 Y Y
UART口 2 2
波特率发生器 2 2
IIC口 1 1
SPI口 Y Y
16位定时器 3 3
PWC 2 2
PWM 16BIT 16BIT
其它 WDT Y Y
省电模式 Y Y
上电复位 掉电检测 Y Y
工作电压 3.3V 3.3V
工作温度 -40℃~85℃ -40℃~85℃
封装 QFP-64 QFP-64
VRS51L3074特性
  1. 8K x 8 FRAM:8KB全真非易失性RAM(无电池/优越的电容要求用来保持数据)映射到VRS51L3074的XRAM存储器以支持简易存储、快速写操作和本质上无线的寿命。
  2. 40MHz、单周期8051处理器:这是市场上最快速的8位处理器之一。其先进的内核可以提供高达40 MIPS的吞吐量,并且与标准8051指令兼容,支持流畅的数据移植。
  3. 带32位桶式移位器的MULT/ACCU/DIV单元:此硬件计算引擎在执行DSP操作时(FIR过滤、传感器输出线性、多字节算法操作等)性能大大地超过8位处理器。它在一个周期中(40 MHz)执行16位乘法和32位加法,并在5个周期(40MHz)中执行16位除法。桶式移位器激活逻辑/算法转换操作。
  4. 40MHz精确内部振荡器:VRS51L3074内部振荡器通过消除外部晶体振荡器提供优于2%的精度并减少了系统成本。
  5. JTAG 接口:对于用户友好和需要器件快速编程以及实时在线调试/仿真的用户应用,无需昂贵的仿真器。带波特率发生器的双UART:通用异步接收器/发射器操作速度达1.25 Mbps。每一UART合并了一个专门的具16位分辨率和4位微波特率调节的波特率发生器。
  6. 增强的SPI:串行外设接口上的通信速度可以配置达20 Mbps,数据交易可从1至32位间调节。
  7. PWC:两个脉冲计数器模块提供先进的定时器控制特性,简化事件持续时间测试
  8. PWM:VRS51L3074合并了8个具16位可调节分辨率的脉宽调节器。每一PWM包括其自身的定时器,它也可以用作通用定时器。

其他支持外设包括一个I2C接口、3个带3个定时器捕获输入的16位通用定时器/计数器、看门狗定时器和49个共享16个中断矢量的中断。封装形式为QFP-64。
内嵌Fram存储的高速MCU与其他MCU的性能比对

订购型号
订购参数:
Product Flash Memory Package SRAM speed VDD I/O
VRS51L3074 64KB & 8KB FRAM TQFP64 4352B 40MHZ 3.3V 56
VRS51L2070 64KB TQFP64 4352B 40MHZ 3.3V 56