DS3070W:3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM,带有时钟

The DS2070W is a 16Mb reflowable nonvolatile (NV) SRAM, which consists of a static RAM (SRAM), an NV controller, and an internal rechargeable manganese lithium (ML) battery. These components are encased in a surface-mount module with a 256-ball BGA footprint. Whenever VCC is applied to the module, it recharges the ML battery, powers the SRAM from the external power source, and allows the contents of the SRAM to be modified. When VCC is powered down or out-of-tolerance, the controller write-protects the SRAM's contents and powers the SRAM from the battery. The DS2070W also contains a power-supply monitor output, RST-bar, which can be used as a CPU supervisor for a microprocessor.

• DS2070W Single-Piece, Reflowable, 27mm x 27mm BGA Package Footprint
• DS2070W Internal ML Battery and Charger
• DS2070W Unconditionally Write-Protects SRAM when VCC is Out-of-Tolerance
• DS2070W Automatically Switches to Battery Supply when VCC Power Failures Occur
• DS2070W Internal Power-Supply Monitor Detects Power Fail Below Nominal VCC (3.3V)
• DS2070W Reset Output can be Used as a CPU Supervisor for a Microprocessor
• DS2070W Industrial Temperature Range (-40°C to +85°C)
• DS2070W UL Recognized

美信(Maxim Integrated Products)的全资子公司Dallas Semiconductor,推出业界第一款大容量、单片式、表贴非易失(NV) SRAM模块：DS2070W+100(2M×8位)以及DS3070W+100(2M×8位,集成RTC),内置可经受回流焊的电池。

与目前市面上其他NV SRAM模块不同,DS2070W/DS3070W NV SRAM模块极其简单。该系列器件采用单片式方案,内置可经受回流焊的电池。可以采用标准装配流程很简单的实现该系列器件的安装：可以通过现有的拾取/贴放机从装有器件的卷带上拾取并贴放器件。该系列器件还兼容于标准的SMT工艺,可以承受最长30秒钟的+225℃(+0/-5℃)的峰值回流焊温度。完成回流焊后,该模块可以采用水清洗流程,无需任何附加措施。

当与竞争对手的传统两片式表贴方案相比,DS2070/DS3070的可回流焊电池就更显其重要性。两片式表贴方案需要额外增加装配工序及成本：安装电池时需要尤其小心,因为当前业界所使用的一次性电池不能采用回流焊。因此,通常都是先采用回流焊工艺将基底(不带电池)焊到的电路板上,然后在装配工序最后阶段才将电池手工安装到基底上。DS2070W/DS3070W免去了这些装配工序,缩短了生产周期并降低了成本。

DS2070W/DS3070W是一个高度集成的模块,方便使用,器件利用智能电路持续监控VCC,防止意外掉电引起重要数据的丢失。VCC接到模块上时,外部电源对内部的锂锰电池充电,同时为SRAM供电,允许用户修改SRAM的内容。当电源电压超出容限时,器件自动接通电池,并且无条件启动写保护,以防止数据丢失。器件可以无限次执行写操作,与微处理器接口时无需任何附加电路。

DS2070W/DS3070W单片式NV SRAM模块是全静态存储器,结构和功能上与当前公司现有的单片式NV SRAM模块相类似。该系列模块可以替代SRAM、EEPROM、或闪存,这些器件的容量介于32k×8位至2M×8位之间。不同容量的器件均具有相同的封装形式和引脚排布,方便用户在不改变主体设计的情况下扩展存储器容量。

DS2070W/DS3070W采用RoHS兼容、27mm×27mm、256焊球BGA封装,与外界环境实现完全隔离。该系列器件规定工作在-40℃至+85℃工业级温度范围。

技术支持：
单片非易失性存储器DS3070W的性能特点及应用.PDF
DS3070W DataSheet.PDF