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54S189 / 74S189 STTL型64位随机存贮器

54S189 / 74S189 特点

功能表

功能 输 入 输出
片选 写使能
写 L L Z
读 L H 输入数据的补码
禁止 H × Z

H=高电平 L=低电平 ×=不定 Z=禁态(高阻态 )

说明：

这种 64位有源元件 TTL随机存储器（RAM）为4位16字结构，为反相三态输出。这种存储器是全译码的，具有简化译码所要求的片选输入，以达到扩展系统结构的目的。三态输出具有集电极开路输出所有的图腾柱输出的速度，它能通过总线与同类输出相连，而且它还保持了 TTL图腾柱输出所具有的上升速度快的特性。 写周期：

当片选和写使能输入为低电平时，加在数据输入端上的信息就写入所选中的区域。存储器中存储器输出被禁止为高阻态（三态）。而当写使能

输入为低电平时，当许多输出和总线相连时，这个关态既不加载于也不驱动总线，但允许总线由其它有源输出端或一个无源驱动力所驱动 读周期：

当写使能输入为高电平而片选输入为低电平时，存储器中贮存的信息在输出端是有效的。当片选输入为高电平时，输出被禁止。

推荐工作条件

符号 参数名称 74S189 54S189 单位
最小 典型 最大 最小 典型 最大
Vcc 电源电压 4.75 5 5.25 4.5 5 5.5 V
VIH 输入高电平电压 2.0 2.0 V
VIL 输入低电平电压 0.8 0.8 V
IOH 输出高电平电流 -6.5 -2.0 mA
IOL 输出低电平电流 12 12 mA
tW 写入脉冲宽度（写赋能为低） 25 25 ns
建立 写入脉冲前的地址 0↓ 0↓ ns
tsu 时间 写入脉冲结束前的数据 25↑ 25↑
写入脉冲结束前的片选 25↑ 25↑
保持 写入脉冲后的地址 0↑ 3↑ ns
th 时间 写入脉冲后的数据 0↑ 0↑
写入脉冲后的片选 0↑ 0↑
TA 工作环境温度 -40 85 -55 125 ℃

电 性 能：（除特别说明外，均为全温度范围）

符号 参数名称 测试条件 74Ⅱ 54 单位
最小 典型 最大 最小 典型 最大
VIK 输入钳位电压 Vcc=最小 II =-18mA -1.2 -1.2 V
VOH 输出高电平电压 Vcc=最小 VIL =最大 VIH=2V IOH=最大 2.4 2.4 3.4 V
VOL 输出低电平电压 Vcc=最小 VIL=最大 VIH=2V IOL =最大 0.5 0.35 0.5 V
IOZH 高关态输出电流 Vcc=最大 VIH=2.0V VIL=最大 Vo=2.4V 50 50 μA
IOZL 低关态输出电流 Vcc=最大 VIH=2.0V VIL =最大 Vo=0.4V -50 -50 μA
II 输入电流 (最大输入电压时 ) Vcc=最大 VI=5.5V 1 1 mA
IIH 输入高电平电流 Vcc=最大 VI=2.7V 50 50 μA
IIL 输入低电平电流 Vcc=最大 VI=0.5V -250 -250 μA
IOS 输出短路电流 Vcc=最大 VO=0V -30 -100 -30 -100 mA
ICC 电源电流 Vcc=最大（注） 110 70 110 mA

注：测 Icc时，所有输出开路，写使能和片选输入接地，所有其它输入接 4.5V。所有典型值均在 Vcc=5.0V, TA=25℃下测量得出。交流（开关）参数：Vcc=5.0V, TA=25℃

符号 参数名称 从（输入） 到（输出） 测试条件 参数值 单位
最小 典型 最大
ta（ad） 地址存取时间 地址 CL=30pF 25 50 ns
ta（s） 片选存取时间 片选 18 25
ts（R） 读出恢复时间 22 40
高电平或低电 片选 12 25
tPXZ 平的截止时间 赋能 R/W CL=5pF 12 30
54S189 / 74S189 技术支持