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54LS189 / 74LS189 LSTTL型 64位随机存贮器

54LS189 / 74LS189 特点

功能表

功能 输 入 输出
片选 写使能
写 L L Z
读 L H 输入数据的补码
禁止 H × Z

H=高电平 L=低电平 ×=不定 Z=禁态(高阻态 )

54LS189/74LS189 说明：

这种单片 64位 TTL随机存贮器（RAM）为4位16字结构，为反相三态输出。具有高性能肖特基钳位特性,同时还有快速片选存取,以提高系统的译码水平。三态输出具有集电极开路输出所有的图腾柱输出的速度，它能通过总线与同类输出相连，而且它还保持了 TTL图腾柱输出所具有的上升速度快的特性。 写周期：

当片选和写使能输入为低电平时，存储器中存储器输出被禁止为高阻态（三态）．贮存的信息写入所选地址。而当写使能输入为低电平时，当许多输出和总线相连时，这个关态既不加载于也不驱动总线，但允许总线由其它有源输出端或一个无源输出所驱动读周期：

当写使能输入为高电平而片选输入为低电平时，存储器中贮存的信息在输出端是有效的。当片选输入为高电平时，输出被禁止。

推荐工作条件
符号 参数名称 74LS189 54LS189 单位
最小 典型 最大 最小 典型 最大
Vcc 电源电压 4.75 5 5.25 4.5 5 5.5 V
VIH 输入高电平电压 2.0 2.0 V
VIL 输入低电平电压 0.8 0.7 V
IOH 输出高电平电流 -2.6 -1.0 mA
IOL 输出低电平电流 24 12 mA
tW 写入脉冲宽度（写赋能为低） 70 80 ns
建立 写入脉冲前的地址 0↓ 0↓ ns
tsu 时间 写入脉冲结束前的数据 60↑ 80↑
写入脉冲结束前的片选 60↑ 80↑
保持 写入脉冲后的地址 0↑ 0↑ ns
th 时间 写入脉冲后的数据 0↑ 0↑
写入脉冲后的片选 0↑ 0↑
TA 工作环境温度 -40 85 -55 125 ℃

电 性 能：（除特别说明外，均为全温度范围）

符号 参数名称 测试条件 74LS189 54LS189 单位
最小 典型 最大 最小 典型 最大
VIK 输入钳位电压 Vcc=最小 II =-18mA -1.5 -1.5 V
VOH 输出高电平电压 Vcc=最小 VIL =最大 VIH=2V IOH=最大 2.4 2.4 3.1 V
VOL 输出低电平电压 Vcc=最小 VIL=最大 VIH=2V IOL =最大 0.5 0.25 0.4 V
IOZH 高关态输出电流 Vcc=最大 VIH=2.0V VIL=最大 Vo=2.7V 20 20 μA
IOZL 低关态输出电流 Vcc=最大 VIH=2.0V VIL =最大 Vo=0.4V -20 -20 μA
II 输入电流 (最大输入电压时 ) Vcc=最大 VI=7V 0.1 0.1 mA
IIH 输入高电平电流 Vcc=最大 VI=2.7V 20 20 μA
IIL 输入低电平电流 Vcc=最大 VI=0.4V -0.4 -0.4 mA
IOS 输出短路电流 Vcc=最大 VO=0V -20 -100 -20 -100 mA
ICC 电源电流 Vcc=最大（注） 60 35 60 mA

注：测 Icc时，所有输出开路，赋能和片选输入接地，所有其它输入接 4.5V。所有典型值均在 Vcc=5.0V, TA=25℃下测量得出。交流（开关）参数：Vcc=5.0V, TA=25℃

符号 参数名称 从（输入） 到（输出） 测试条件 参数值 单位
最小 典型 最大
ta（ad） 地址存取时间 地址 CL=45pF 50 90 ns
ta（s） 片选存取时间 片选 35 70
ts（R） 读出恢复时间 RL=667Ω 55 100
高电平或低电 片选 30 60
tPXZ 平的截止时间 赋能 R/W CL=5pF RL=667Ω 40 70
54LS189 / 74LS189 技术支持