首页 > 产品服务 > 分立式半导体 > 晶体管

3DG86 型晶体管

3DG86 型晶体管
序号 参数 单位 测试条件 规范值
1 PCM mW TA≤28℃ 300
2 IC mA   30
3 TjM  ℃   175
4 ICEO μA VCE=10V ≤0.1
5 IEBO μA VEB=1.5V ≤0.1
6 V(BR)CBO V ICB=50μA ≥30
7 V(BR)CEO V ICE=50μA ≥22
8 V(BR)EBO V IEB=50μA ≥3
9 VBE(sat) V IC=10mA,IB=1mA ≤1
10 VCE(sat) V IC=10mA,IB=1mA ≤0.35
11 hFE   VCE=10V,IC=10mA 40~270
12 fT MHz f=100MHz,VCE=10V,IC=10mA ≥700

允许测试误差±10%

NPN型金属封装硅高频小功率晶体管hFE分档表

hFE 40~55 55~80 80~120 120~180 180~270
色标 绿

3DG86 型晶体管B-2 型封状尺寸图

3DG86 型晶体管B-2 型封状尺寸图