3DG86 型晶体管

• 结构名称：NPN硅外延平面高频小功率晶体管。
• 等级标记：Ⅱ类
• 主要用途： 接收机及无线电设备作超高频放大和振荡 。
• 外 形 图：B-2型

3DG86 型晶体管

序号	参数	单位	测试条件			规范值
1	PCM	mW	TA≤28℃			300
2	IC	mA				30
3	TjM	℃				175
4	ICEO	μA	VCE=10V			≤0.1
5	IEBO	μA	VEB=1.5V			≤0.1
6	V(BR)CBO	V	ICB=50μA			≥30
7	V(BR)CEO	V	ICE=50μA			≥22
8	V(BR)EBO	V	IEB=50μA			≥3
9	VBE(sat)	V	IC=10mA，IB=1mA			≤1
10	VCE(sat)	V	IC=10mA，IB=1mA			≤0.35
11	hFE		VCE=10V，IC=10mA			40~270
12	fT	MHz	f=100MHz，VCE=10V，IC=10mA			≥700

允许测试误差±10%

NPN型金属封装硅高频小功率晶体管hFE分档表

hFE	40~55	55~80	80~120	120~180	180~270
色标	黄	绿	蓝	紫	灰

3DG86 型晶体管B-2 型封状尺寸图