3DG82 型晶体管

• 结构名称：NPN硅外延平面超高频中功率三极管。
• 等级标记：Ⅱ类
• 主要用途：用于微波中继通讯及其它电子设备中作中放、倍频和振荡混频等。
• 外 形 图：B—4型

3DG82 型晶体管参数

序号	参数	单位	测试条件			规　范　值
						3DG82A	3DG82B	3DG82C
1	PCM	mW	Ta=25℃			500	500	500
2	IC	mA				80	80	80
3	TjM	℃				175	175	175
4	ICEO	μA	VCE=10V			≤30	≤30	≤30
5	V(BR)CEO	V	ICE=1mA			≥25	≥20	≥20
6	V(BR)EBO	V	IEB=0.5mA			≥3	≥3	≥3
7	VBE(sat)	V	IE=10mA			≤1	≤1	≤1
8	VCE(sat)	V	IC=50mA，IB=5mA			≤1	≤1	≤1
9	hFE		VCE=5V，IC=30mA			≥20	≥20	≥20
10	fT	MHz	f=400MHz，VCE=10V，IC=30mA			≥1000	≥1500	≥1200

                                                                                                                                                                                                                                                            允许测试误差±10%

NPN型金属封装硅高频小功率晶体管hFE分档表

hFE	20~40	40~55	55~80	80~120	120~180	180~200
色标	橙	黄	绿	蓝	紫	灰