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3DG82 型晶体管

3DG82 型晶体管参数
序号 参数 单位 测试条件 规 范 值
3DG82A 3DG82B 3DG82C
1 PCM mW Ta=25℃ 500 500 500
2 IC mA   80 80 80
3 TjM  ℃   175 175 175
4 ICEO μA VCE=10V ≤30 ≤30 ≤30
5 V(BR)CEO V ICE=1mA ≥25 ≥20 ≥20
6 V(BR)EBO V IEB=0.5mA ≥3 ≥3 ≥3
7 VBE(sat) V IE=10mA ≤1 ≤1 ≤1
8 VCE(sat) V IC=50mA,IB=5mA ≤1 ≤1 ≤1
9 hFE   VCE=5V,IC=30mA ≥20 ≥20 ≥20
10 fT MHz f=400MHz,VCE=10V,IC=30mA ≥1000 ≥1500 ≥1200
                                                                                                                                                                                                                                                            允许测试误差±10%

NPN型金属封装硅高频小功率晶体管hFE分档表

hFE 20~40 40~55 55~80 80~120 120~180 180~200    
色标 绿    

 

3DG82 型晶体管封装尺寸图

3DG82 型晶体管封装尺寸图