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3DG255 型晶体管

3DG255 型晶体管
序号 参数 单位 测试条件 规范值
1 PCM mW Ta=25℃ 300
2 IC mA   50
3 TjM  ℃   175
4 ICEO μA VCE=10V ≤0.1
5 ICBO μA VCB=10V ≤0.1
6 IEBO μA VEB=2V ≤0.1
7 V(BR)CBO V ICB=100μA ≥30
8 V(BR)CEO V ICE=100μA ≥20
9 V(BR)EBO V IEB=100μA ≥4
10 VBE(sat) V IC=10mA,IB=1mA ≤1
11 VCE(sat) V IC=10mA,IB=1mA ≤0.3
12 hFE   VCE=10V,IC=10mA 30~220
13 fT MHz f=100MHz,VCE=10V,IC=10mA ≥600

允许测试误差±10%

NPN型金属封装硅高频小功率晶体管hFE分档表

hFE 25~40 40~55 55~80 80~120 120~180 180~270
色标 绿

3DG255 型晶体管B-2 型封状尺寸图

3DG255 型晶体管B-2 型封状尺寸图