3DG255 型晶体管

• 结构名称：NPN硅高频小功率三极管。
• 等级标记：Ⅱ类
• 主要用途:用于接收机和无线电设备中做高频放大及振荡用。
• 外形图：B-2型

3DG255 型晶体管

序号	参数	单位	测试条件	规范值
1	PCM	mW	Ta=25℃	300
2	IC	mA		50
3	TjM	℃		175
4	ICEO	μA	VCE=10V	≤0.1
5	ICBO	μA	VCB=10V	≤0.1
6	IEBO	μA	VEB=2V	≤0.1
7	V(BR)CBO	V	ICB=100μA	≥30
8	V(BR)CEO	V	ICE=100μA	≥20
9	V(BR)EBO	V	IEB=100μA	≥4
10	VBE(sat)	V	IC=10mA，IB=1mA	≤1
11	VCE(sat)	V	IC=10mA，IB=1mA	≤0.3
12	hFE		VCE=10V，IC=10mA	30~220
13	fT	MHz	f=100MHz，VCE=10V，IC=10mA	≥600

允许测试误差±10%

NPN型金属封装硅高频小功率晶体管hFE分档表

hFE	25~40	40~55	55~80	80~120	120~180	180~270
色标	橙	黄	绿	蓝	紫	灰

3DG255 型晶体管B-2 型封状尺寸图