ADL5358利用两个高线性度双平衡无源混频器内核以及集成的RF与本振平衡电路来实现单端工作。ADL5358内置两个RF巴伦,能够利用高端本振注入,在700～1000 MHz的RF输入频率范围内实现最佳的主混频器与分集混频器性能。平衡的无源混频器提供良好的本振至射频泄漏（典型值优于-25 dBm）,以及出色的互调性能。在手机应用中,带内阻塞信号可能会导致动态性能下降,ADL5358的平衡混频器内核能够提供极高的输入线性度,非常适合于要求苛刻的手机应用。高线性度IF缓冲放大器与无源混频器内核可提供8.5 dB（典型值）的功率转换增益。（欲了解不包含IF放大器、可提供更高IIP3的双通道混频器版本,请联系ADI）。
ADL5358可提供两个可切换本振路径,适合于需要在两个本振之间进行快速切换的TDD应用。本振电流可以通过外部电阻进行设置,以将与期望性能等级相当的直流电流降到最低。额外的3V逻辑引脚能够在需要时关断（<100uA）电路。
对于低压应用,ADL5358能在低至3V的电压下工作,并大幅降低直流电流。
ADL5358采用BiCMOS高性能IC工艺制造。这款器件采用6 mm × 6 mm 36引脚LFCSP封装,工作温度范围为-40°C～+85°C。还可提供评估版。
| 产品型号 | 产品状态 | 封装 | 引脚 | 温度范围 |
|---|---|---|---|---|
| ADL5358-EVALZ | 量产 | 评估板 | - | 待定 |
| ADL5358ACPZ-R2 | 量产 | LFCSP:LEADFRM CHIP SCALE | 36 | 待定 |
| ADL5358ACPZ-R7 | 量产 | LFCSP:LEADFRM CHIP SCALE | 36 | 待定 |