ADL5355利用一个高线性度双平衡无源混频器内核以及集成的RF与本振平衡电路来实现单端工作。ADL5355内置一个RF巴伦,能够利用低端本振注入,在1500至2500 MHz的RF输入频率范围内实现最佳性能。(用于高端本振注入的引脚兼容器件也已供应。)平衡的无源混频器提供良好的本振至射频泄漏(典型值优于-25 dBm),以及出色的互调性能。在手机应用中,带内阻塞信号可能会导致动态性能下降,ADL5355的平衡混频器内核能够提供极高的输入线性度,非常适合于要求严苛的手机应用。高线性度IF缓冲放大器与无源混频器内核可提供8.1 dB(典型值)的功率转换增益,可配合各种不同的输出阻抗使用。对于低压应用,ADL5355能在低至3V的电压下工作,并大幅降低直流电流。
ADL5355可提供两个可切换本振通路,适合用于需要在两个本振之间进行快速切换的TDD应用。本振电流可以通过外部电阻进行设置,以将与期望性能等级相当的直流电流降到最低。额外的逻辑引脚能够在需要时关断(<100µA)电路。
For low voltage applications, the ADL5355 is capable of operation at voltages down to 3.3V with substantially reduced current.
ADL5355基于BiCMOS高性能IC工艺制造, 采用5 mm × 5 mm 20引脚LFCSP封装,工作温度范围为-40°C至+85°C,现提供评估版。
| 产品型号 | 产品状态 | 封装 | 引脚 | 温度范围 |
|---|---|---|---|---|
| ADL5355ACPZ-R7 | 量产 | LFCSP:LEADFRM CHIP SCALE | 20 | 工业 |