CSD23201W10 P 通道 – 双共源 NexFETTM 功率 MOSFET

	CSD23201W10
VDS(V)	-20
VGS(V)	-6
VGSTH(V)	-0.7
RDS(on) at VGS=4.5V(mOhm)	33
QGD(nC)	0.7
QGS(nC)	1.0
QG(nC)	4.3
Operating Temperature Range(°C)	-55 to 150
Pin/Package	9DSBGA

CSD23201W10 描述

The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra low profile. Low on resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained applications.

CSD23201W10 特性

• Low Resistance
• Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm
• Gate ESD Protection –3kV
• Pb Free
• RoHS Compliant
• Halogen Free
• Gate-Source Voltage Clamp
• APPLICATIONS
  • Battery Management
  • Battery Protection

CSD23201W10 芯片订购指南

器件	状态	温度 (oC)	价格（美元）	封装 | 引脚	封装数量 | 封装载体	丝印标记
CSD23201W10	ACTIVE	-55 to 150	0.36 | 1ku	DSBGA (YZB) | 9	3000 | LARGE T&R

CSD23201W10 质量与无铅数据

器件	环保计划*	铅/焊球涂层	MSL 等级/回流焊峰	环保信息与无铅 (Pb-free)	DPPM / MTBF / FIT 率
CSD23201W10	Green (RoHS & no Sb/Br)	Call TI	Level-1-260C-UNLIM	CSD23201W10	CSD23201W10

CSD23201W10 应用技术支持与电子电路设计开发资源下载

1. CSD23201W10 数据资料 dataSheet 下载.PDF
2. TI 德州仪器MOSFET 驱动器选型与价格参考 . xls
3. Dual MOSFET Driver (PDF 498 KB)
4. 全面认识开关型电源中的BUCK-BOOST功率级 (Rev. A) (PDF 2206 KB)
5. Understanding Boost Power Stages In Switchmode Power Supplies (PDF 149 KB)
6. Understanding Buck Power Stages In Switchmode Power Supplies (PDF 173 KB)
7. 标准线性产品交叉参考 (Rev. D) (PDF 1058 KB)
8. 模数规格和性能特性术语表 (Rev. A) (PDF 1993 KB)
9. 所选封装材料的热学和电学性质 (PDF 645 KB)
10. 高速数据转换 (PDF 1967 KB)