CSD16301Q2 N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET

	CSD16301Q2
VDS(V)	25
VGS(V)	10
VGSTH(V)	1.1
RDS(on) at VGS=4.5V(mOhm)	23.0
QGD(nC)	0.4
QGS(nC)	0.6
QG(nC)	2.0
Operating Temperature Range(°C)	-50 to 150
Pin/Package	6SON

CSD16301Q2 描述

The NexFETTM power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications.

CSD16301Q2 特性

• Ultralow Qg and Qgd
• Low Thermal Resistance
• Pb Free Terminal Plating
• RoHS Compliant
• Halogen Free
• SON 2-mm × 2-mm Plastic Package
• APPLICATIONS
  • DC-DC Converters
  • Battery and Load Management Applications

CSD16301Q2 芯片订购指南

器件	状态	温度 (oC)	价格（美元）	封装 | 引脚	封装数量 | 封装载体	丝印标记
CSD16301Q2	ACTIVE	-55 to 150	0.36 | 1ku	SON (DQH) | 6	3000 | LARGE T&R

CSD16301Q2 质量与无铅数据

器件	环保计划*	铅/焊球涂层	MSL 等级/回流焊峰	环保信息与无铅 (Pb-free)	DPPM / MTBF / FIT 率
CSD16301Q2	Pb-Free (RoHS Exempt)	Call TI	Level-1-260C-UNLIM	CSD16301Q2	CSD16301Q2

CSD16301Q2 应用技术支持与电子电路设计开发资源下载

1. CSD16301Q2 数据资料 dataSheet 下载.PDF
2. TI 德州仪器MOSFET 驱动器选型与价格参考 . xls
3. Dual MOSFET Driver (PDF 498 KB)
4. 全面认识开关型电源中的BUCK-BOOST功率级 (Rev. A) (PDF 2206 KB)
5. Understanding Boost Power Stages In Switchmode Power Supplies (PDF 149 KB)
6. Understanding Buck Power Stages In Switchmode Power Supplies (PDF 173 KB)
7. 标准线性产品交叉参考 (Rev. D) (PDF 1058 KB)
8. 模数规格和性能特性术语表 (Rev. A) (PDF 1993 KB)
9. 所选封装材料的热学和电学性质 (PDF 645 KB)
10. 高速数据转换 (PDF 1967 KB)