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BQ2201 SRAM 非易失性控制器 IC,用于 1 个 SRAM 内存组

BQ2201 描述

The CMOS bq2201 SRAM Nonvolatile Controller Unit provides all necessary functions for converting a standard CMOS SRAM into nonvolatile read/write memory. A precision comparator monitors the 5V VCC input for an out-of-tolerance condition. When out of tolerance is detected, a conditioned chip-enable output is forced inactive to write-protect any standard CMOS SRAM. During a power failure, the external SRAM is switched from the VCC supply to one of two 3V backup supplies. On a subsequent power-up, the SRAM is write-protected until a power-valid condition exists. The bq2201 is footprint- and timing-compatible with industry standards with the added benefit of a chip-enable propagation delay of less than 10ns.

BQ2201
Supply Voltage(V) 5
Pin/Package 8PDIP, 8SOIC
Approx. Price (US$) 1.85 | 1ku
BQ2201 特性
BQ2201 芯片订购指南
器件 状态 温度 (oC) 价格(美元) 封装 | 引脚 封装数量 | 封装载体 丝印标记
BQ2201PN ACTIVE 0 to 70 1.85 | 1ku PDIP (P) | 8 50 | TUBE 2201PN
BQ2201PNE4 ACTIVE 0 to 70 1.85 | 1ku PDIP (P) | 8 50 | TUBE 2201PN
BQ2201SN ACTIVE 0 to 70 2.25 | 1ku SOIC (D) | 8 75 | TUBE 2201
BQ2201SN-N ACTIVE -40 to 85 2.25 | 1ku SOIC (D) | 8 75 | TUBE 2201
BQ2201SN-NG4 ACTIVE -40 to 85 2.25 | 1ku SOIC (D) | 8 75 | TUBE 2201
BQ2201SN-NTR ACTIVE -40 to 85 1.85 | 1ku SOIC (D) | 8 2500 | LARGE T&R 2201
BQ2201SN-NTRG4 ACTIVE -40 to 85 1.85 | 1ku SOIC (D) | 8 2500 | LARGE T&R 2201
BQ2201SNG4 ACTIVE 0 to 70 2.25 | 1ku SOIC (D) | 8 75 | TUBE 2201
BQ2201SNTR ACTIVE 0 to 70 1.85 | 1ku SOIC (D) | 8 2500 | LARGE T&R 2201
BQ2201SNTRG4 ACTIVE 0 to 70 1.85 | 1ku SOIC (D) | 8 2500 | LARGE T&R 2201
BQ2201 质量与无铅数据
器件 环保计划* 铅/焊球涂层 MSL 等级/回流焊峰 环保信息与无铅 (Pb-free) DPPM / MTBF / FIT 率
BQ2201PN Pb-Free (RoHS) CU NIPDAU N/A for Pkg Type BQ2201PN BQ2201PN
BQ2201PNE4 Pb-Free (RoHS) CU NIPDAU N/A for Pkg Type BQ2201PNE4 BQ2201PNE4
BQ2201SN Green (RoHS & no Sb/Br) CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM BQ2201SN BQ2201SN
BQ2201SN-N Green (RoHS & no Sb/Br) CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM BQ2201SN-N BQ2201SN-N
BQ2201SN-NG4 Green (RoHS & no Sb/Br) CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM BQ2201SN-NG4 BQ2201SN-NG4
BQ2201SN-NTR Green (RoHS & no Sb/Br) CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM BQ2201SN-NTR BQ2201SN-NTR
BQ2201SN-NTRG4 Green (RoHS & no Sb/Br) CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM BQ2201SN-NTRG4 BQ2201SN-NTRG4
BQ2201SNG4 Green (RoHS & no Sb/Br) CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM BQ2201SNG4 BQ2201SNG4
BQ2201SNTR Green (RoHS & no Sb/Br) CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM BQ2201SNTR BQ2201SNTR
BQ2201SNTRG4 Green (RoHS & no Sb/Br) CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM BQ2201SNTRG4 BQ2201SNTRG4
BQ2201 应用技术支持与电子电路设计开发资源下载
  1. BQ2201 数据资料 dataSheet 下载.PDF
  2. TI 德州仪器NVSRAM(非易失性 SRAM)产品选型与价格 . xls
  3. PowerPADTM Thermally Enhanced Package (PDF 1040 KB)
  4. 全面认识开关型电源中的BUCK-BOOST功率级 (Rev. A) (PDF 2206 KB)
  5. Shelf-Life Evaluation of Lead-Free Component Finishes (PDF 1305 KB)
  6. PowerPADTM Made Easy (PDF 57 KB)
  7. 标准线性产品交叉参考 (Rev. D) (PDF 1058 KB)
  8. 模数规格和性能特性术语表 (Rev. A) (PDF 1993 KB)
  9. 所选封装材料的热学和电学性质 (PDF 645 KB)
  10. 高速数据转换 (PDF 1967 KB)
BQ2201 相关工具
名称 型号 公司 工具/软件类型
BQ2201 评估模块 BQ2201EVM Texas Instruments 开发电路板/EVM