组合层叠式ComboMemory 存储器产品是高度集成的方案,在单个或多芯片封装中组合了SST的SuperFlash技术和静态RAM。这些 器件对于那些既需要flash和SRAM又受到空间限制的应用是理想的选择,如手机、传呼机、便携式消费电子产品、移动通信和和手持GPS设备等。

组合层叠式ComboMemory 存储器

• 系列包括二个产品系列：
  32 系列：Flash和SRAM或者PSRAM集成到单个多芯片封装(MCP)
  34 系列：双Bank Flash和SRAM或者PSRAM集成到一个多芯片封装(MCP)
• 重要特征：
  为小体积设计而集成的Flash 和SRAM 或者PSRAM
  小尺寸 ------ 用一个芯片取代两片芯片
  在擦除或编程Flash 的同时对SRAM 或者PSRAM进行读写操作
  对于并发的读写操作采用Dual-Bank flash结构（34 系列）
  64Kbyte 统一Block-Erase 能力
  低功耗
  用ComboMemory-ready 引脚分配提供了简易的密度升级
• 小Sector 擦除能力
  32 系列：2KWord 的统一Sector-Erase
  34 系列：2KWord 的统一Sector-Erase
• 32 系列
  在一个工业标准封装的片上可实现64Mbit的flash容量
  MPF+有新的特征可用：Erase-Suspend/Erase-Resume, Boot Block, Security ID 和硬件复位
• 34系列
  实现新特征：Erase-Suspend/Erase-Resume, Boot Block, Security ID 和硬件复位
  合乎工业标准的封装
  x8/x16 flash的组织形式

组合层叠式ComboMemory 存储器
Device	Density Flash	Density SRAM	Voltage	Access Speed(ns)	Packages
SST32HF802	8Mb MPF(512Kx16)	2Mb (128Kx16)	2.7-3.3V	70	LBGA-48(10mm*12mm),LFBGA-48(6mm*8mm)
SST32HF64A1/2	64Mb MPF+(4Mx16)	16Mb PSRAM (1Mx16)	2.7-3.3V	70	LFBGA-63(8mm*10mm),LFBGA-64(8mm*10mm)
SST32HF64B1/2	64Mb MPF+(4Mx16)	32Mb PSRAM (2Mx16)	2.7-3.3V	70	LFBGA-63(8mm*10mm),LFBGA-64(8mm*10mm)
SST34HF162G	16Mb CSF(1Mx16)	2Mb (128Kx16)	2.7-3.3V	70	LFBGA-48(6mm*8mm)
SST34HF164G	16Mb CSF(1Mx16)	4Mb (256Kx16)	2.7-3.3V	70	LFBGA-48(6mm*8mm)
SST34HF324G	32Mb CSF(2Mx16)	4Mb (256Kx16)	2.7-3.3V	70	LFBGA-48(6mm*8mm)
SST34HF1621C/2C	16Mb CSF(1Mx16 or 2Mx8)	2Mb (128Kx16)	2.7-3.3V	70	TFBGA-56(8mm*10mm),LFBGA-62(8mm*10mm)
SST34HF1641J*	16Mb CSF(1Mx16 or 2Mx8)	4Mb PSRAM (256Kx16)	2.7-3.3V	70	TFBGA-56(8mm*10mm),LFBGA-62(8mm*10mm)
SST34HF1681J*	16Mb CSF(1Mx16 or 2Mx8)	8Mb PSRAM (512Kx16)	2.7-3.3V	70	TFBGA-56(8mm*10mm),LFBGA-62(8mm*10mm)
SST34HF3244*	32Mb CSF(2Mx16 or 4Mx8)	4Mb PSRAM (256Kx16)	2.7-3.3V	70	TFBGA-56(8mm*10mm),LFBGA-62(8mm*10mm)
SST34HF3284*	32Mb CSF(2Mx16 or 4Mx8)	8Mb PSRAM (512Kx16)	2.7-3.3V	70	TFBGA-56(8mm*10mm),LFBGA-62(8mm*10mm)
SST34HF32A4*	32Mb CSF(2Mx16 or 4Mx8)	16Mb PSRAM (1Mx16)	2.7-3.3V	70	TFBGA-56(8mm*10mm),LFBGA-62(8mm*10mm)