G3VM-101LR MOS FET继电器

世界最小※SSOP封装高负载电压100V型

欧姆龙MOS FET继电器型号 G3VM-101LR 特点如下

• 开路时漏电流200pA以下。

订购型号

形状	接点结构	端子种类	负载电压(最大) *	型号	最小包装单位
					每卷装数量
SSOP4	1a	表面安装端子	100V	G3VM-101LR	-
				G3VM-101LR(TR)	1,500

*负载电压（最大）：表示峰值AC、DC

额定值

·绝对最大额定（Ta＝25℃）

项目		符号	额定	单位	条件
输入侧	LED正向电流	IF	50	mA
	直流正向电流降低比率	△IF/℃	-0.5	mA/℃	Ta >=25℃
	LED反向电流	VR	5	V
	粘合部位温度	TJ	125	℃
输出侧	负载电压(峰值AC/DC)	VOFF	100	V
	连续负载电流(峰值AC/DC)	Io	80	mA
	导通电流降低比率	△Io/℃	-0.8	mA/℃	Ta >=25℃
	粘合部位温度	TJ	125	℃
输入输出间耐压(注1)		VI-O	1500	Vrms	AC持续1分钟
使用环境温度		Ta	-20～+85	℃	无结冰、无凝露
贮藏温度		Tstg	-40～+125	℃	无结冰、无凝露
焊接温度条件		—	260	℃	10s

（注1）:测量输入输出间的耐压时，分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。

电气性能（Ta＝25℃）

项目		符号	最小	标准	最大	单位	条件
输入侧	LED正向电压	VF	1.0	1.15	1.3	V	IF=10mA
	反向电流	IR	—	—	10	μA	VR=5V
	端子间电容	CT	—	15	—	PF	V=0、f=1MHz
	触发LED正向电流	IFT	—	1	5	mA	IO=80mA
输出侧	最大输出导通电阻	RON	—	8	14	Ω	IF=10mA、Io=80mA、t=10ms
	开路时漏电流	ILEAK	—	—	200	pA	VOFF=80V
	端子间电容	COFF	—	6	8	pF	V=0、f=100MHz、t<1s
输入输出间电容		CI-O	—	0.6	—	pF	f=1MHz、VS=0V
输入输出间电容绝缘电阻		RI-O	1000	—	—	MΩ	VI-O=500VDC、ROH<=60%
动作时间		tON	—	0.1	0.3	ms	IF=5mA、RL=200Ω、 VDD=20V（注2）
复位时间		tOFF	—	0.1	0.3	ms

注2:IF=5mA、RL=200Ω、 VDD=20V 表示动作时间和复位时间

推荐动作条件

为了保证继电器的正确动作和复位，请在以下条件下使用。

项目	符号	最小	标准	最大	单位
负载电压(峰值AC/DC)	VDD	—	—	80	V
动作LED正向电流	IF	10	—	30	mA
连续负载电流(峰值AC/DC)	Io	—	—	80	A
动作温度	Ta	25	—	60	℃

G3VM-101LR 外形标记图和端子内部接线图

G3VM-101LR 应用领域

• 数据记录仪器
• 计测仪器
• 半导体检测设备
• 宽带

G3VM-101LR 应用技术支持与电子电路设计开发资源下载

• G3VM-101LR 数据手册DataSheet 下载.pdf