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3DG4 型晶体管

3DG4 参数
序号 参数 单位 测试条件 规 范 值
 3DG4C 3DG4D 3DG4E
1 PCM mW   300
2 IC mA   30
3 TjM  ℃   175
4 ICBO μA VCB=10V ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1
5 ICEO μA VCE=10V ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1
6 IEBO μA VEB=2V ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1
7 V(BR)CBO V ICB=50μA ≥40 ≥25 ≥40
8 V(BR)CEO V ICE=50μA ≥30 ≥20 ≥30
9 V(BR)EBO V IEB=50μA ≥4 ≥4 ≥4
10 VBE(sat) V IC=10mA,IB=1mA ≤1 ≤1 ≤1
11 VCE(sat) V IC=10mA,IB=1mA ≤0.7 ≤0.7 ≤0.7
12 hFE   VCE=10V,IC=10mA 40~250 40~250 40~250
13 fT MHz f=100MHz,VCE=10V,IC=10mA ≥200 ≥300 ≥300

允许测试误差±10%

NPN型金属封装硅高频小功率晶体管hFE分档表
hFE 40~55 55~80 80~120 120~180 180~250      
色标 绿      
3DG4型晶体管封状尺寸图

3DG4型晶体管