3DG4 型晶体管
- 结构名称：NPN硅平面高频小功率晶体管。
- 等级标记：Ⅱ类
- 主要用途：用于接收机和无线电设备中作高频放大及振荡用。
- 外 形 图：B-2 型
3DG4 参数
| 序号 | 参数 | 单位 | 测试条件 | 规 范 值 | ||||
| 3DG4C | 3DG4D | 3DG4E | ||||||
| 1 | PCM | mW | 300 | |||||
| 2 | IC | mA | 30 | |||||
| 3 | TjM | ℃ | 175 | |||||
| 4 | ICBO | μA | VCB=10V | ≤0.1 | ≤0.1 | ≤0.1 | ||
| 5 | ICEO | μA | VCE=10V | ≤0.1 | ≤0.1 | ≤0.1 | ||
| 6 | IEBO | μA | VEB=2V | ≤0.1 | ≤0.1 | ≤0.1 | ||
| 7 | V(BR)CBO | V | ICB=50μA | ≥40 | ≥25 | ≥40 | ||
| 8 | V(BR)CEO | V | ICE=50μA | ≥30 | ≥20 | ≥30 | ||
| 9 | V(BR)EBO | V | IEB=50μA | ≥4 | ≥4 | ≥4 | ||
| 10 | VBE(sat) | V | IC=10mA，IB=1mA | ≤1 | ≤1 | ≤1 | ||
| 11 | VCE(sat) | V | IC=10mA，IB=1mA | ≤0.7 | ≤0.7 | ≤0.7 | ||
| 12 | hFE | VCE=10V，IC=10mA | 40~250 | 40~250 | 40~250 | |||
| 13 | fT | MHz | f=100MHz，VCE=10V，IC=10mA | ≥200 | ≥300 | ≥300 | ||
允许测试误差±10% |
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| NPN型金属封装硅高频小功率晶体管hFE分档表 | ||||||||
| hFE | 40~55 | 55~80 | 80~120 | 120~180 | 180~250 | |||
| 色标 | 黄 | 绿 | 蓝 | 紫 | 灰 | |||
3DG4型晶体管封状尺寸图
