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3DG32 型晶体管

3DG32   参数
序号 参数 单位 测试条件 规 范 值
3DG32B 3DG32D 3DG32F
1 PCM mW Ta=25±3℃ 300
2 IC mA   30
3 TjM  ℃   175
4 ICBO μA VCB=10V ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1
5 ICEO μA VCE=10V ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1
6 IEBO μA VEB=1.5V ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1
7 V(BR)CBO V ICB=50μA ≥25 ≥25 ≥25
8 V(BR)CEO V ICE=50μA ≥15 ≥15 ≥15
9 V(BR)EBO V IEB=50μA ≥3 ≥3 ≥3
10 VBE(sat) V IC=10mA,IB=1mA ≤1 ≤1 ≤1
11 VCE(sat) V IC=10mA,IB=1mA ≤0.35 ≤0.35 ≤0.35
12 hFE   VCE=10V,IC=10mA 40~270 40~270 40~270
13 fT MHz f=100MHz,VCE=10V,IC=10mA ≥300 ≥500 ≥700
允许测试误差±10%
NPN型金属封装硅高频小功率晶体管hFE分档表   
hFE 40~55 55~80 80~120 120~180 180~250
色标 绿

3DG32晶体管B-2型封状尺寸图

3DG12晶体管B-2型封状尺寸图