NPN型硅平面高频高反压三极管 3DG182

电参数

极限参数

直流参数

交流参数

外形

国外相应产品型号

PCM mW

ICM mA

BVCBO V

BVCEO V

BVEBO V

ICBO µA

ICEO µA

IEBO µA

VBES V

VCES V

hFE

fT MHz

测试条件

IC= 100µA

IC= 100µA

IE= 100µA

VCB= 30V

VCE= 30V

VEB= 1.5V

IC=200mA IB=20mA

VCE=5V IC=100mA

VCE=10V Ic=20mA f=30MHz

型号

3DG182A 3DG182B 3DG182C 3DG182D 3DG182E 3DG182F 3DG182G 3DG182H

700

300

60 100 140 180 220 60 100 140

60 100 140 180 220 60 100 140

5

0.5

1

2

1.2

0.8

20

50 50 50 50 50 100 100 100

B-4

用途：用于电子设备的高频放大和振荡电路