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NPN型硅平面高频高反压三极管 3DG170

电参数 极限参数 直流参数 交流参数 外形 国外相应产品型号
PCM
mW
ICM
mA
BVCBO
V
BVCEO
V
BVEBO
V
ICBO
µA
ICEO
µA
IEBO
µA
VBES
V
VCES
V
hFE fT
MHz
测试条件     IC=
100µA
IC=
100µA
IE=
100µA
VCB=
30V
VCE=
30V
VEB=
1.5V
IC=50mA
IB=5mA
VCE=10V
IC=5mA
VCE=10V
Ic=5mA
f=30MHz
型号 3DG170A
3DG170B
3DG170C
3DG170D
3DG170E
3DG170F
500 50 60
100
140
180
220
260
60
100
140
180
220
260
5 0.1 0.5 0.1 1 0.5 20 50 B-4  
用途:用于电子设备的高频放大和振荡电路