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NPN型硅平面高频小功率三极管 3DG111

电参数 极限参数 直流参数 交流参数 外形 国外相应产品型号
PCM
mW
ICM
mA
BVCBO
V
BVCEO
V
BVEBO
V
ICBO
µA
ICEO
µA
IEBO
µA
VBES
V
VCES
V
hFE fT
MHz
GD
dB
Cob
PF
测试条件     IC=
100µA
IC=
100µA
IE=
100µA
VCB=
10V
VCE=
10V
VEB=
1.5V
IC=10mA
IB=1mA
VCE=10V
IC=3mA
ICE=10V
IC=10mA
f=100MHZ
ICB=10V
IE=10mA
f=100MHZ
ICB=10V
f=1MHZ
型号 3DG111A
3DG111B
3DG111C
3DG111D
3DG111E
3DG111F
300 50 20
40
60
20
40
60
15
30
60
20
40
45
4 0.1 0.1 0.1 1 0.35 30 150
150
150
300
300
300
7 5 B-1  
用途:用于电子设备的高频放大和振荡电路