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PNP型硅平面高频小功率三极管 3CG112

电参数 极限参数 直流参数 交流参数 外形 国外相应产品型号
PCM
mW
ICM
mA
BVCBO
V
BVCEO
V
BVEBO
V
ICBO
µA
ICEO
µA
IEBO
µA
VBES
V
VCES
V
hFE fT
MHz
Cob
PF
测试条件       IC=
100µA
IE=
100µA
VCB=
-10V
VCE=
-10V
VEB=
-1.5V
IC=30mA
IB=3mA
VCE=-10V
IC=10mA
VCE=-10V
IC=10mA
VCB=-10V
f=5MHz
型号 3CG112A
3CG112B
3CG112C
3CG112D
300 50   15
30
45
60
4 0.1 0.1 0.1 1 0.5 25 100 5 B-1  
用途:用于高频放大与振荡电路